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共烧式多层压电陶瓷

共烧式多层压电陶瓷是一款基于一体化烧结工艺的高精度压电驱动元件,通过多层PZT陶瓷片与叉指电极交替堆叠并共烧成型,实现低电压驱动、高可靠性及纳米级位移控制。其整体烧结结构大幅提升活性材料占比与接触面积,显著降低内部应力,适用于纳米定位、微操作、光学调谐等高精度场景,为精密仪器、半导体设备及医疗器械提供快速、稳定的驱动解决方案。

共烧式多层压电陶瓷

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共烧式多层压电陶瓷

共烧式多层压电陶瓷

共烧式多层压电陶瓷以一体化烧结工艺与高精度设计,重新定义了纳米级驱动技术的性能标杆。作为专业压电陶瓷制造商,我们通过材料创新与工艺革新,为客户提供低应力、高响应的核心驱动元件,助力精密制造、光学、医疗等领域突破技术瓶颈,实现设备效能飞跃。


1、结构设计

●一体化共烧工艺:PZT陶瓷层与叉指电极同步高温烧结成整体结构,无胶水粘接层,层间结合强度提升3倍,活性材料占比>95%。

●叉指电极布局:电极横跨陶瓷层表面,形成均匀电场分布,驱动效率较分立式堆栈提升20%,迟滞效应降低至<5%。

●全密封封装:陶瓷或金属外壳封装,防潮防氧化,适配真空或高湿环境,工作温度范围-25℃~130℃。


2、材料特性

●高活性PZT陶瓷:锆钛酸铅(PZT)基材料,压电常数d33≥600 pC/N,经共烧工艺优化后机电耦合系数提升15%。

●低损耗电极系统:银-钯合金叉指电极,电阻率<0.15Ω·cm,支持kHz级高频驱动,温升<10℃(满负荷)。

●抗疲劳性能:全烧结结构无层间应力集中,循环寿命>1×10⁸次,位移衰减率<2%。


3、核心优势

●纳米级定位精度:开环位移4.6~20.0μm(可定制扩展),分辨率达0.1nm,重复定位精度<0.05%。

●低电压高响应:驱动电压0V~150V,机电响应时间<50μs,适配快速动态控制场景。

●低内应力设计:一体化烧结减少界面缺陷,内部应力降低30%,出力密度>200N/mm²。

●高环境耐受性:耐冲击(50G加速度)、抗湿热(95%Rh),适配工业级严苛环境。


4、典型应用

●半导体制造:光刻机掩模台纳米对位、晶圆探针台微力反馈控制。

●精密光学:激光谐振腔动态调谐、自适应光学波前校正。

●生物医疗:显微操作机器人细胞穿刺、内窥镜精准定位驱动。

●科研仪器:原子力显微镜探针驱动、超精密测量平台位移补偿。

●工业自动化:微装配机械臂末端执行器、高频阀门精密控制。


5、核心保障

●全流程品控:从PZT粉体制备、叉指电极印刷到共烧成型,全程激光检测层厚均匀性(±0.5μm)与电极连续性,100%经过高压极化与位移测试。

●参数深度定制:支持位移范围(1~200μm)、电压(0~1000V)、尺寸(2×2mm至50×50mm)定制,提供开环/闭环配置方案。

●全周期技术支持:提供动态性能仿真、迟滞补偿算法、安装预载计算及快速维修支持,24小时响应技术咨询。

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